根据TrendForce的最新报告，预计到2025年，全球DRAM位产量将同比增长25%。其中，若不考虑中国的扩张产能，这一增幅将降至21%。然而，中国的产能增长主要是为了满足国内市场需求，因此对全球市场的影响相对有限。

除了传统的PC、服务器、移动设备、图形和消费类DRAM之外，HBM（高带宽内存）也逐渐被纳入到DRAM的产品组合中。值得注意的是，除去HBM的产量增长，传统DRAM的比特产量到2025年预计仅将增加20%，显示出DRAM市场的增速有所放缓。

如果剔除HBM的增长因素和中国新增的产能，全球三大DRAM厂商（三星、SK海力士、美光）在未来几年的位产量增长将会显著降低，仅预计增长15%。这一数据反映了DRAM市场逐渐趋于稳定，且竞争压力不断加大，尤其是在技术升级和市场需求转型的背景下。

此外，HBM的供应情况，特别是HBM3e版本，预计将持续紧张。HBM3e作为最新一代高带宽内存，其高性能和低功耗特点使其在高端计算和数据中心应用中备受青睐。随着AI、机器学习、深度学习等高性能计算需求的激增，HBM3e的需求也在不断上升。然而，供应链的瓶颈、技术难度以及生产工艺的挑战，都可能导致HBM的供应在短期内难以满足市场需求。

因此，虽然全球DRAM市场整体增长强劲，但高带宽内存（HBM）的供应紧张，以及中国市场的特殊需求结构，都可能成为影响未来几年的DRAM市场格局的重要因素。DRAM厂商将面临更加复杂的市场环境，需要在生产能力、技术创新和市场战略上进行精细调整，以应对不断变化的需求和激烈的竞争。4o